| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN100365815C | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200480000648.3 | 申请日期 | 2004.05.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 森田清之;山田升;宫本明人;大塚隆;田中英行 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L45/00(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器，其包括第一基板和第二基板，其中，所述第一基板具有配置成矩阵状的多个开关元件和与所述各开关元件电连接的多个第一电极，所述第二基板具有导电膜和电阻值通过施加电脉冲而改变的记录层，多个所述第一电极被所述记录层整体地覆盖，由此，所述记录层被夹持在多个所述第一电极与所述导电膜之间，所述第一基板还具有向所述记录层通电时保持一定电压的第二电极，所述第一电极和第二电极形成在所述第一基板上的相同层上，所述导电膜具有未被所述记录层覆盖的暴露部分，所述第二电极与所述暴露部分接合。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||