发明名称
摘要 A plated lead for electrical devices is plated with a Sn-based lead-free alloy containing 0.001-0.1 weight percent of Ga. The formation of oxides in a hot dipping bath can be suppressed by the presence of 0.001-0.1 weight percent of P in the alloy.
申请公布号 JP4039653(B2) 申请公布日期 2008.01.30
申请号 JP19990311040 申请日期 1999.11.01
申请人 发明人
分类号 B23K35/26;C22C13/00;B32B15/01;C23C2/08;C25D3/66 主分类号 B23K35/26
代理机构 代理人
主权项
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