| 发明名称 | 单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺，要解决的技术问题是提高离子注入效率，本发明包括以下步骤：1、将工件装上工件架后，真空炉体内抽真空至5×10<SUP>-3</SUP>Pa以上；2、向真空炉体内充入气体使其真空度降至1.0×10<SUP>-2</SUP>至7.0×10<SUP>-2</SUP>Pa之间；3、开启离子源，调节充入气体，使真空度保持在金属离子与通入的气体原子的平均自由程为离子源到工件距离的1/10至1/2；4、达到离子1.5×10<SUP>17</SUP>ions/cm<SUP>2</SUP>至3.5×10<SUP>17</SUP>ions/cm<SUP>2</SUP>的注入剂量后，关离子源，本发明与现有技术相比，在真空弧离子源MEVVA离子注入机内充入气体，调节充入气体可实现多元共注，实现离子注入和表面镀膜，提高了工件注入层表面性能、功效和工艺稳定性，适用于需要提高表面硬度、耐腐蚀性的工件。 | ||
| 申请公布号 | CN100365161C | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200410077215.X | 申请日期 | 2004.12.01 |
| 申请人 | 深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心 | 发明人 | 张德元;费勤勇;赵豪民;耿漫;马胜歌 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01);C23C14/02(2006.01);C23C14/56(2006.01) | 主分类号 | C23C14/48(2006.01) |
| 代理机构 | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人 | 孙皓 |
| 主权项 | 1.一种单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺，包括以下步骤：(1)离子源和工件架之间的距离为0.5至1.3米，将工件装上工件架后，真空炉体内抽真空至真空度在5×10-3Pa以上；(2)向真空炉体内充入气体使其真空度降至1.0×10-2至7.0×10-2Pa之间；(3)开启离子源，调节充入气体，使真空度保持在金属离子与通入的气体原子的平均自由程为离子源到工件距离的1/10至1/2；(4)达到离子1.5×1017ions/cm2至3.5×1017ions/cm2的注入剂量后，关离子源。 | ||
| 地址 | 518008广东省深圳市宝安南路洪涛大厦3楼 | ||