| 发明名称 | 制造半导体器件的方法以及电镀装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，其包括利用导电材料填充设置于在衬底上形成的绝缘膜上的多个凹陷的电镀工艺，其中该电镀工艺包括：当以导电材料填充在所有的该多个凹陷中的不大于预定的宽度的精细凹陷时，以第一电流密度来进行电镀，所述第一电流密度是通过基于在衬底的整个表面上的第一表面积S<SUB>1</SUB>和衬底的整个表面上的第二表面积S<SUB>2</SUB>的表面积之比Sr＝S<SUB>1</SUB>/S<SUB>2</SUB>，来修正预定的第一基准电流密度而获得的，所述第一表面积包括半导体衬底的整个表面上的该多个凹陷的侧墙的面积，而所述第二表面积不包括该多个凹陷的侧墙的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101114590A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200710136784.0 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 有田幸司;北尾良平 |
| 分类号 | H01L21/288(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);C25D21/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/288(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其具有利用导电材料填充设置于在衬底上形成的绝缘膜上的多个凹陷的电镀工艺，其中所述电镀工艺包括：当以所述导电材料填充在所有所述多个凹陷中的不大于预定的宽度的精细凹陷时，以第一电流密度来进行电镀，所述第一电流密度是通过基于在所述衬底的整个表面上的第一表面积S1和在所述衬底的整个表面上的第二表面积S2的表面积之比Sr＝S1/S2来修正预定的第一基准电流密度而获得的，所述第一表面积包括在所述衬底的整个表面上的所述多个凹陷的侧墙的面积，而所述第二表面积不包括所述多个凹陷的所述侧墙的面积。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||