制备区域规整聚合物的方法

摘要

本发明涉及制备区域规整的聚合物，尤其具有高的区域规整度的头尾(HT)聚(3－取代)噻吩的方法，和通过这一方法制备的新型聚合物，以及该新型聚合物作为半导体或电荷传输材料在光学、电光学或电子器件，其中包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光生伏打和传感器器件中的用途，含该新型聚合物的FET和其它半导组件或材料。

主权项

1.由具有至少两个能与镁反应的基团的任选地取代的噻吩制备聚合物的方法，其通过在催化量的有机卤化物或有机镁卤化物存在下，使所述噻吩与镁反应，以形成区域化学的格氏中间体或者区域化学的格氏中间体的混合物，和在合适催化剂存在下将所述格氏中间体聚合而进行。