发明名称 |
一种SiC/Si层状复合陶瓷的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种以纸张作为原料通过原位反应无压烧结制备SiC基层状复合陶瓷的方法。首先它是将纸制品剪裁成一定的尺寸规格,在酚醛树脂中浸泡取出、晾干叠层、静压后,再烘干等预成型工序,然后进行炭化、渗硅、排硅后制得SiC基层状复合陶瓷。该方法无需热压烧结,可显著降低陶瓷产品制造成本、节省资源和保护环境,所制备的SiC基层状复合陶瓷性能优良,可制造形状复杂的大型陶瓷构件,适于腐蚀、磨损、高温环境的使用。 |
申请公布号 |
CN100364926C |
申请公布日期 |
2008.01.30 |
申请号 |
CN200610043160.X |
申请日期 |
2006.07.13 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
乔冠军;刘银娟;杨刚宾;金志浩;王红洁;高积强;杨建锋 |
分类号 |
C04B35/515(2006.01);C04B35/565(2006.01);C04B35/622(2006.01);B32B18/00(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/515(2006.01) |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 |
代理人 |
刘国智 |
主权项 |
1.一种SiC/Si层状复合陶瓷的制备方法,其特征是,包括下述步骤:a.预成型:将纸制品剪裁成长方形,在酚醛树脂中浸泡10~60min取出,晾干叠层,静压5~10h后得到成型试样,然后用夹具夹紧,在100~110℃下经6~10h烘干;b.炭化:将预成型试样置于炭管炉内,在N2气保护下,以1℃/min的升温速度加热至800℃,保温10~30min;c.渗硅:在石墨坩埚中放入工业硅粒,将碳化后的试样平置于硅上,然后将坩埚放入真空电阻炉中,抽真空并以6℃/min升温速度加热到800℃后停止抽真空,再通入N2气并以3℃/min升温速度继续加热至1540~1560℃,保温30~60min;d.排硅:保温后再次抽真空,并升温至1650℃~1680℃,保温10~20min,冷却后即制得SiC/Si层状复合陶瓷。 |
地址 |
710049陕西省西安市咸宁路28号 |