发明名称 CMOS图像传感器及其制造工艺方法
摘要 本发明公开了一种CMOS图像传感器,其采用无侧墙结构的MOS晶体管。本发明还公开了该CMOS图像传感器的制造工艺方法,其省略侧墙形成工艺。本发明能降低光电二极管的表面缺陷,改善CMOS图像传感器的光学性能,并降低制造工艺的复杂度和制造成本。
申请公布号 CN101114660A 申请公布日期 2008.01.30
申请号 CN200610029339.X 申请日期 2006.07.25
申请人 格科微电子(上海)有限公司 发明人 赵立新;李文强;李杰
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/8238(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 丁纪铁
主权项 1.一种CMOS图像传感器,其特征在于,采用无侧墙结构的MOS晶体管。
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号1号楼705室