半导体晶片中埋入式电阻器的制作方法

摘要

本发明提供一种在半导体晶片中埋入式电阻器的制作方法，具体是在半导体晶片上形成导电凸点的工艺过程中埋入式电阻器的制作方法。在工艺过程中增加一个要形成埋入式电阻器的区域中的多层导电层的顶层子金属层的刻蚀步骤，去除了顶层金属子层后的金属层的电阻率大于没有去除顶层金属子层的金属层的电阻率，由此在半导体晶片中形成电阻器，该电阻器在随后的工艺步骤中被钝化层覆盖，由此形成埋入式电阻器。所制成的埋入式电阻器代替了安装到半导体器件封装印刷电路板上的终端电阻器。提高了封装密度，保证了高速半导体器件的特性不受损坏。

主权项

1.半导体晶片中埋入式电阻器的制作方法，包括如下步骤：在已经形成有半导体器件结构以及焊盘的半导体晶片上顺序进行：1)涂覆第一钝化层材料，然后顺序进行显影、曝光、固化；2)溅射淀积多层金属膜层；3)涂覆第一光刻胶层、曝光显影、坚固膜层；4)在没有被光刻胶覆盖的位置上电镀金属层；5)剥离光刻胶层后进行形成埋入式电阻器进行的第一次刻蚀，刻蚀曾被光刻胶层保护的多层金属膜层，形成金属导电带；6)涂覆第二光刻胶层，确定要刻蚀形成埋入式电阻器的区域，刻蚀要形成埋入式电阻器区域中的金属层中的顶层电镀金属，确定埋入式电阻器；7)涂覆第二钝化层覆盖电阻器；8)溅射金属层作为凸点下金属，形成焊料凸点下金属层；9)涂覆第三光刻胶层、曝光显影、坚固膜层，为下一工艺步骤形成光刻胶掩模；10)电镀凸点金属、剥离光刻胶；11)进行凸点下金属UBM刻蚀；形成焊料凸点和埋入式电阻器。