用作H－桥电路的功率半导体模块及其制造方法

摘要

本发明涉及具有四个功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)和一半导体控制芯片(IC)的作为H桥电路(42)的功率半导体模块(41)，及制造该功率半导体模块(41)的方法。半导体芯片(N1，N2，P1，P2，IC)设置在一引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43到45)上。半导体控制芯片(IC)设置于在设置的引线芯片接触区(45)上。作为下侧开关(58，59)的n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)以及作为上侧开关(48，49)的P型沟道功率半导体芯片(P1，P2)在任何情况下都被设置在两个侧向设置的引线芯片接触区(43，44)上。n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)共同处于地电势(50)且P型沟道功率半导体芯片(P1，P2)电连接到分开的电源电压(VS1，VS2)。

主权项

1.一种具有四个功率半导体芯片(N1、N2、P1、P2)和半导体控制芯片(IC)的、作为H-桥电路(42)的功率半导体模块，所述半导体芯片被设置在引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43，44，45)上，所述引线平面具有：在中央设置的引线芯片接触区(45)，在其上设置所述半导体控制芯片(IC)；以及在两个在侧向设置的引线芯片接触区(43、44)，在其每个上设置n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)作为下侧开关(58，59)和p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)作为上侧开关(48，49)，并且所述n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)共同电连接到地电势(50)，且所述p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)电连接到分开的供电电压源(VS1，VS2)。