发明名称 存储器宏及电路布局产生方法
摘要 本发明提供一种存储器宏及电路布局产生方法。其中该电路布局产生方法,适用于使用存储器编译器产生电路布局,包括:产生第一组单元,设置于该电路布局的第一区域;以及产生第二组单元,设置于该第一区域的边缘,该第二组单元为可操作的且与该第一组单元具有不同的物理尺寸,由此强化依据此电路布局所制造出的装置。该存储器宏,包括第一组单元,设置于存储模块的第一区域,以及第二组单元,设置于第一区域的边缘,第二组单元为可操作的且与第一组单元具有不同的物理尺寸,由此改善位于存储模块的边缘单元的坚固性。本发明可以改善电子装置的性能及合格率。
申请公布号 CN101114643A 申请公布日期 2008.01.30
申请号 CN200610160476.7 申请日期 2006.11.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 邹宗成;李政宏
分类号 H01L27/00(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/108(2006.01);G11C5/02(2006.01) 主分类号 H01L27/00(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈晨
主权项 1.一种电路布局产生方法,适用于使用存储器编译器产生电路布局,包括:产生第一组单元,设置于该电路布局的第一区域;以及产生第二组单元,设置于该第一区域的边缘,该第二组单元为可操作的且与该第一组单元具有不同的物理尺寸,由此强化依据此电路布局所制造出的装置。
地址 中国台湾新竹市