| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别是关于栅极电极被全硅化的半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：在具有全硅化栅极电极的半导体装置的制造方法中，可避免受到活性区域和元件隔离区域之间高度差异的影响，并能以高精度使分别在活性区域上和元件隔离区域上形成的栅极电极形成膜及栅极布线形成膜露出。以覆盖在形成有围绕活性区域(11)的元件隔离区域(12)的半导体衬底(10)上形成的保护膜(15a)及保护膜(15b)的形态，形成基层保护膜(19)和层间绝缘膜(20)后，利用化学机械研磨(CMP)法，研磨去除层间绝缘膜(20)、基层保护膜(19)及保护膜(15b)，直至保护膜(15a)的上表面露出为止。 | ||
| 申请公布号 | CN101114646A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200710111845.8 | 申请日期 | 2007.06.15 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 佐藤好弘;小川久 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L29/40(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：包括在半导体衬底中形成的元件隔离区域、在上述半导体衬底中被上述元件隔离区域围绕的活性区域、在上述活性区域上形成的全硅化的第一栅极布线、在上述元件隔离区域上形成的全硅化的第二栅极布线、在上述第一栅极布线的侧面形成的第一侧壁以及在上述第二栅极布线的侧面形成的第二侧壁；从上述第一侧壁的下表面到上表面的厚度和从第二侧壁的下表面到上表面的厚度不同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||