发明名称 在处理器之间具有主接口的可多路径访问的半导体存储器
摘要 一种可多路径访问半导体存储器件,在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括:存储单元阵列,具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区,所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问;访问路径形成单元,用于响应于处理器所施加的外部信号,在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径;以及接口单元,具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区,以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。
申请公布号 CN101114271A 申请公布日期 2008.01.30
申请号 CN200710136795.9 申请日期 2007.07.27
申请人 三星电子株式会社 发明人 申莲姬;孙汉求;李英敏;李东奕;朴钟旭;李镐哲;金美调;金中植;李彰浩
分类号 G06F15/167(2006.01);G11C7/10(2006.01) 主分类号 G06F15/167(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 戎志敏
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区,所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问;访问路径形成单元,用于响应于处理器所施加的外部信号,在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径;以及接口单元,具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区,以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。
地址 韩国京畿道