发明名称 |
在处理器之间具有主接口的可多路径访问的半导体存储器 |
摘要 |
一种可多路径访问半导体存储器件,在处理器之间提供接口功能。该存储器件可包括:存储单元阵列,具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区,所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问;访问路径形成单元,用于响应于处理器所施加的外部信号,在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径;以及接口单元,具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区,以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。 |
申请公布号 |
CN101114271A |
申请公布日期 |
2008.01.30 |
申请号 |
CN200710136795.9 |
申请日期 |
2007.07.27 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
申莲姬;孙汉求;李英敏;李东奕;朴钟旭;李镐哲;金美调;金中植;李彰浩 |
分类号 |
G06F15/167(2006.01);G11C7/10(2006.01) |
主分类号 |
G06F15/167(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
戎志敏 |
主权项 |
1.一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,具有在操作上与两个或多个端口相连的共享存储区,所述两个或多个端口可独立地由两个或多个处理器访问;访问路径形成单元,用于响应于处理器所施加的外部信号,在端口之一和共享存储区之间形成数据访问路径;以及接口单元,具有共享存储区中可由这两个或多个处理器访问的标志区和邮箱区,以便为这两个或多个处理器之间的通信提供接口功能。 |
地址 |
韩国京畿道 |