| 发明名称 | 形成集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成集成电路的方法，包括：在半导体衬底表面上限定多个突出部分，该突出部分具有最小高度；在该衬底表面上方提供图案层；从预定衬底部分移除部分该图案层；执行离子注入程序，使该离子相对于所述衬底表面的角度小于90度，其中该离子是由该图案层与该突出部分所终止，从而该预定衬底部分以该离子所掺杂；以及移除该图案层。 | ||
| 申请公布号 | CN101114614A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200710128498.X | 申请日期 | 2007.07.26 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 托比亚斯·莫诺;弗兰克·雅库博夫斯基;赫尔曼·萨克塞;拉尔斯·弗尔克尔;克劳斯·迪特尔·莫尔哈德;迪特马·亨克 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/266(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种形成集成电路的方法，包括：提供具有表面的半导体衬底；在所述衬底表面上限定多个突出部分，所述突出部分具有最小高度；在所述衬底表面上方提供图案层；从预定的衬底部分中移除部分所述图案层；执行离子注入程序，使离子相对于所述衬底表面的角度为小于90度，其中所述离子由所述图案层与所述突出部分所终止，从而所述预定衬底部分以所述离子掺杂；以及移除所述图案层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||