发明名称 |
有机薄膜晶体管基板及其制造方法 |
摘要 |
一种便于控制TFT的开关动作的有机薄膜晶体管(“TFT”)基板。有机TFT基板包括:基板上的栅极线,与栅极线在同一平面的像素电极,与栅极线绝缘的数据线,包括连接到栅极线的栅极电极、连接到数据线并与栅极线绝缘的源极电极、连接到像素电极并且与栅极电极绝缘的漏极电极和与源极和漏极电极的每一个相接触的有机半导体层的有机TFT,和在栅极线与栅极电极上的栅极绝缘层。本发明还涉及有机薄膜晶体管的制造方法。 |
申请公布号 |
CN101114667A |
申请公布日期 |
2008.01.30 |
申请号 |
CN200710149418.9 |
申请日期 |
2007.07.12 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
宋根圭;赵承奂;金保成;金泳敏;慎重汉 |
分类号 |
H01L27/28(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G02F1/1333(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/28(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
许向华;陶凤波 |
主权项 |
1.一种有机薄膜晶体管基板,包括:基板上的栅极线;在栅极线同一平面中的像素电极;与栅极线绝缘的数据线;包括连接到栅极线的栅极电极、与栅极线绝缘的连接到数据线的源极电极、与栅极电极绝缘的连接到像素电极的漏极电极、和与源极和漏极电极的每一个相接触的有机半导体层的有机薄膜晶体管;以及在栅极线与栅极电极上的栅极绝缘层。 |
地址 |
韩国京畿道 |