非挥发性存储器阵列结构

摘要

本发明揭示一种低源极片阻抗的非挥发性存储器阵列结构。本发明主要是使用一埋入式传导区域来作为一非挥发性存储器阵列结构的源极线。上述的埋入式传导区域具有与现有技术的源极线不同的几何形状。所以，上述的埋入式传导区域可以具有比现有技术的源极区域更低的源极片阻抗，进而可以改变上述非挥发性存储器阵列结构的可靠度与操作效能。

主权项

1.一种非挥发性存储器阵列结构，包含：一底材；多组隔离元件，是位于该底材中；多组栅极结构，是位于该底材上；一埋入式源极区域位于该隔离元件之间，与该隔离元件垂直，且该埋入式源极区域为一掺杂区域，位于该底材表层，其中该埋入式源极区域没有隔离元件，该埋入式源极区域不位于该些隔离元件上方或下方；及多组漏极区域，位于该底材表层，每一该漏极区域与该埋入式源极区域之间的该底材上有一该栅极结构。