| 发明名称 |
微型场发射电子器件 |
| 摘要 |
本发明涉及一种微型场发射电子器件，其包括：一基底；一第一绝缘层与一第二绝缘层相隔一定距离设置于基底上；一阴极电极层与一阳极电极层分别设置于第一绝缘层与第二绝缘层上，该阴极电极层具有一场发射端正对该阳极电极层，该微型场发射电子器件内密封有惰性气体，且满足条件式：<img file="200610061707.9_AB_0.GIF" wi="59" he="35" />，其中，h为阴极电极层的场发射端与阳极电极层之间的间距；<img file="200610061707.9_AB_1.GIF" wi="28" he="38" />为电子在惰性气体环境中的自由程。 |
| 申请公布号 |
CN101110306A |
申请公布日期 |
2008.01.23 |
| 申请号 |
CN200610061707.9 |
申请日期 |
2006.07.19 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
陈丕瑾;胡昭复;刘亮;范守善 |
| 分类号 |
H01J1/304(2006.01);H01J1/46(2006.01);H01J7/04(2006.01);H01J7/14(2006.01) |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种微型场发射电子器件，其包括：一基底；一第一绝缘层与一第二绝缘层相隔一定距离设置于基底上；一阴极电极层与一阳极电极层分别设置于第一绝缘层与第二绝缘层上，该阴极电极层具有一场发射端正对该阳极电极层，其特征在于，该微型场发射电子器件内密封有惰性气体，且满足条件式：<maths num="0001"><math><mrow><mi>h</mi><mo>&lt;</mo><mover><msub><mi>&lambda;</mi><mi>e</mi></msub><mo>&OverBar;</mo></mover><mo>,</mo></mrow></math></maths>其中，h为阴极电极层的场发射端与阳极电极层之间的间距；<img file="A2006100617070002C2.GIF" wi="42" he="50" />为电子在惰性气体环境中的自由程。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华大学清华－富士康纳米科技研究中心310号 |
