发明名称 发光元件及发光元件的制造方法
摘要 形成在发光元件1的化合物半导体层100第二主表面的第二电极16,具备接合合金化层31与焊料层34,该接合合金化层31与化合物半导体层100的第二主表面接触设置,同时用于降低与该化合物半导体层100的接合阻抗,该焊料层34用于将该接合金属层连接于通电支持体52。该焊料层34,是由设置在接合合金化层31侧、以Sn为主成分且熔点低于接合合金化层31的Sn系金属构成的Sn系焊料层34s,以及位在该Sn系焊料层34s的接合合金化层31的相反侧、与Sn系焊料层34s接触的Au-Sn系焊料层34m所构成,且该Au-Sn系焊料层34m含有30质量%~90质量%的Au、与10质量%~70质量%的Sn,Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量%,且熔点高于Sn系焊料层34s。藉此,在以Au-Sn系焊料层进行安装为前提的发光元件中,提供一种Au-Sn系焊料层与接合合金化层之间具有更加优异的接合可靠性,进而不易产生Au-Sn系焊料层的剥离等现象的组件构造。
申请公布号 CN101111946A 申请公布日期 2008.01.23
申请号 CN200680003703.3 申请日期 2006.01.26
申请人 信越半导体株式会社 发明人 池田均;小原正义
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L21/28(2006.01);B23K35/26(2006.01);H01L21/52(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 楼高潮
主权项 1.一种发光元件,其是以位于具有发光层部的化合物半导体层的、光取出面侧的主表面为第一主表面、以和第一主表面相反侧的主表面为第二主表面,在该化合物半导体层的第一主表面、第二主表面分别形成第一电极、第二电极,通过该第二电极来和作为组件安装对象的通电支持体形成导通连接,其特征在于:该第二电极,具备接合合金化层与焊料层;该接合合金化层,与该化合物半导体层的第二主表面接触设置,同时用以降低与该化合物半导体层的接合阻抗;该焊料层,用于将该接合合金化层连接于该通电支持体,由设置在该接合合金化层侧、以Sn为主成分且熔点低于该接合合金化层的Sn系金属构成的Sn系焊料层,以及位于相对该Sn系焊料层的该接合合金化层的相反侧、并与Sn系焊料层接触设置的Au-Sn系焊料层所构成,其中该Au-Sn系焊料层含有30质量%~90质量%的Au、与10质量%~70质量%的Sn,Au与Sn的合计含有量大于或等于80质量%,且熔点高于该Sn系焊料层。
地址 日本国东京都
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