| 发明名称 | 发光氮化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种发光氮化物半导体器件，其包括：一衬底(1)，覆盖所述衬底(1)的具有第一导电性的半导体层(2)，覆盖具有所述第一导电性的所述半导体层(2)的发光层(3)，覆盖所述发光层(3)的具有第二导电性的半导体层(4)，以及至少覆盖具有所述第二导电性的所述半导体层的第二电极(5)，其中，所述第二电极对主发光波长具有高反射率，并且所述发光器件使光主要在其侧面得到提取。 | ||
| 申请公布号 | CN100364125C | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200510063803.2 | 申请日期 | 2005.04.07 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 笔田麻佑子 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种发光氮化物半导体器件，其包括：衬底(1)，覆盖所述衬底(1)的具有第一导电性的半导体层(2)，覆盖具有所述第一导电性的所述半导体层(2)的发光层(3)，覆盖所述发光层(3)的具有第二导电性的半导体层(4)，以及至少覆盖具有所述第二导电性的所述半导体层的第二电极(5)，其中，所述第二电极对主发光波长具有高反射率，并且所述发光器件使光主要在其侧面得到提取。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||