| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100364045C | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200510078832.6 | 申请日期 | 2005.05.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 池上浩;金子尚史;羽多野正亮;山下创一;依田孝;关根诚 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：将脉冲光照射到衬底上的凹槽上；在具有所述凹槽的所述衬底上形成Cu的籽晶膜；将所述脉冲光照射到在所述衬底上形成的所述籽晶膜上；以及通过电解电镀在照射脉冲光的所述籽晶膜上形成Cu的电镀膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||