发明名称 | 无BJT结构的新型CMOS电压基准源 | ||
摘要 | 本发明属于模拟集成基准源电路技术领域,具体为一种无BJT结构的CMOS电压基准源。它由启动电路,偏置电路和基准产生电路三部分连接组成。该电压基准源仅采用MOS管来实现基准电压,无需寄生三极管,因此结构简单,功耗低,面积小,适合于功率管驱动电路,电压检测电路等中等精度要求的应用。 | ||
申请公布号 | CN101109972A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
申请号 | CN200710045196.6 | 申请日期 | 2007.08.23 |
申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 孔明;李文宏 |
分类号 | G05F3/24(2006.01) | 主分类号 | G05F3/24(2006.01) |
代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
主权项 | 1.一种无BJT结构的新型CMOS电压基准源,其特征在于由启动电路(1),偏置电路(2)和基准电路(3)构成;其中启动电路(1)由MOS管MS1~MS3构成;偏置电路(2)由MOS管MB1~MB9和电阻Rb构成;基准电路(3)由PMOS管MP和NMOS管MN构成,其中PMOS管MP的栅极和漏极相连并接地,源极和NMOS管MN的漏极相连并一起连接到偏置电路(2)的PMOS管MB8的漏极,NMOS管MN的栅极和漏极相连并一起连接到PMOS管MP的源极,源极接到偏置电路(2)的NMOS管MB9的漏极,即电路的输出节点;启动电路(1)中的NMOS管MS2和MS3分别与偏置电路(2)中的NMOS管MB1和PMOS管MB3相连,偏置电路(2)中的NMOS管MB8和MB9分别与基准电路(3)的PMOS管MP和NMOS管MN相连。 | ||
地址 | 200433上海市邯郸路220号 |