| 发明名称 | 掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法，该掩模包括：透明掩模，由掩模图案区限定；以及掩模图案，位于掩模图案区上，包括第一相移层以及位于第一相移层上的第二相移层，第一相移层具有第一透射率而第二相移层具有第二透射率，第二透射率不同于第一透射率。该微透镜汇聚CMOS图像传感器中的外部光，使得由光电二极管照射的微透镜能够具有良好的曲率半径。借助本发明，通过叠置至少两个具有彼此不同的透射率的相移层来形成用以形成CMOS图像传感器中微透镜的相移掩模，使得当用该相移掩模形成微透镜时微透镜能够具有均匀大小并且微透镜能够具有均匀曲率而与掩模图案阵列的位置无关。 | ||
| 申请公布号 | CN101109896A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200710136896.6 | 申请日期 | 2007.07.23 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李峻硕 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L27/14(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | G03F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种掩模，包括：透明掩模，由掩模图案区限定；以及掩模图案，位于所述掩模图案区上，包括第一相移层以及位于所述第一相移层上的第二相移层，所述第一相移层具有第一透射率而所述第二相移层具有第二透射率，所述第二透射率不同于所述第一透射率。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||