半导体发光元件

摘要

本发明提供一种半导体发光元件。要提高发光二极管的光取出效率是困难的。本发明的发光二极管具有在硅支撑衬底(1)上经缓冲层(2)而配置的p型氮化物半导体层(3)、有源层(4)、n型氮化物半导体层(5)和电流分散层(6)。电流分散层(6)由用于得到2维电子气效应的包含异质结的多个第1和第2层(9)、(10)的层叠体构成。由于具有2维电子气效应的电流分散层(6)的横向的电阻小，所以发生了电流的扩展，光取出效率得到提高。电流分散层(6)还具有作为对第1电极(7)进行欧姆接触的区域的功能。

主权项

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：具有第1导电类型的第1化合物半导体层(3)；配置于上述第1化合物半导体层(3)上的由化合物半导体构成的有源层(4)；配置于上述有源层(4)上、具有光透射性、并且具有与上述第1导电类型相反的第2导电类型的第2化合物半导体层(5)；配置于上述第2化合物半导体层(5)上、具有光透射性、并且由第1层(9)和第2层(10)交互重复多次而配置的层叠体组成的电流分散层(6，6’)；在允许将上述有源层(4)所发射的光从上述电流分散层(6，6’)的表面侧取出的状态下，与上述电流分散层(6，6’)电连接的第1电极(7)；以及与上述第1化合物半导体层(3)电连接的第2电极(8)，上述第1层(9)由化学式：AlaMbGa1-a-bN所表示的第1氮化物半导体构成，上述化学式中，上述M是从In(铟)和B(硼)中选择的至少1种元素，上述a、b为：满足0≤a＜1、0≤b＜1、a+b≤1的数值，上述第2层(10)由化学式：AlxMyGa1-x-yN所表示的第2氮化物半导体构成，上述化学式中，上述M是从In(铟)和B(硼)中选择的至少1种元素，上述x、y为：满足0＜x≤1、0≤y＜1、x+y≤1、a＜x的数值，上述第2层(10)形成为具有能得到量子力学上的隧道效应的厚度且比上述第1层(9)薄。