| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在该方法中，将半导体衬底上的多晶层蚀刻至预定深度。以预定角度将离子注入到多晶层中。再次蚀刻多晶层以暴露半导体衬底的一部分。由此，将应力施加到多晶栅而不是阻挡层，从而解决在进行接触蚀刻期间，由于阻挡层厚度的影响不能打开阻挡层的问题。此外，将应力施加到与半导体衬底的沟道区直接接触的多晶栅上，使得因多晶栅的应力引起的张力直接导致沟道区的张力，从而提高迁移率，进而显著增强器件特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101110358A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200710137305.7 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴真河 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/266(2006.01);H01L21/208(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成具有预定厚度的多晶层；使用光致抗蚀剂图案作为掩模，将该多晶层蚀刻至预定深度；以相对于离子注入方向呈预定角度的方式，将离子注入到该多晶层；以及使用该光致抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻被注入离子的该多晶层，以暴露该半导体衬底。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||