| 发明名称 |
三维电编程只读存储器 |
| 摘要 |
本发明提出一种三维电编程只读存储器(3D－EPROM)，它含有一编程电压接线垫，该编程电压接线垫为该3D－EPROM引入编程电压(V<SUB>pp</SUB>)。因此，3D－EPROM不需含有V<SUB>pp</SUB>产生电路。这能简化3D－EPROM设计，并降低其成本。本发明还提出一种能对至少两个存储元同时进行编程的3D－EPROM。 |
| 申请公布号 |
CN101110425A |
申请公布日期 |
2008.01.23 |
| 申请号 |
CN200610159412.5 |
申请日期 |
2002.11.17 |
| 申请人 |
张国飙 |
发明人 |
张国飙 |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01);G11C17/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征在于含有：一衬底电路(10)；至少一堆叠在该衬底电路上方的三维存储层(100)，该三维存储层通过多个接触通道口(20v)与所述衬底电路相连；和一编程电压接线垫(12P，70P)，该编程电压接线垫为该三维存储层引入编程电压(Vpp)。 |
| 地址 |
610051四川省成都市建设路59号5A－001信箱 |
