| 发明名称 | 半导体器件的掩模图案及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的掩模图案及其制造方法，包括多个相邻的主图案；以及在每个主图案的端部和中部的至少一个之上的辅助图案，所述辅助图案的线宽宽于主图案的线宽，其中所述辅助图案是交错的。本发明可避免具有精细线宽的部分掩模图案发生图案崩溃的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101109897A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200710139155.3 | 申请日期 | 2007.07.23 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李峻硕 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01);G03F1/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的掩模图案，所述掩模图案包括：多个相邻的主图案；以及在每个主图案的端部和中部的至少一个之上的辅助图案，所述辅助图案的线宽宽于所述主图案的线宽，其中所述辅助图案是交错的。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||