| 发明名称 | 固态成像装置 | ||
| 摘要 | 一种固态成像装置(1)包括半导体衬底(10)，光接收单元(14)以及光屏蔽膜(20)。固态成像装置(1)是背面入射型，以及将从物体入射到半导体衬底(10)的背面S2的光光电地转换为电荷，以及在光接收单元(14)处接收由光电转换产生的电荷，从而对物体进行成像。该光接收单元(14)与半导体衬底(10)形成PN结二极管。光屏蔽膜(20)被配置在半导体衬底(10)的前表面S1上从而覆盖该光接收单元(14)。光屏蔽膜(20)用于屏蔽从固态成像装置(1)的外部入射到前表面S1上的光。 | ||
| 申请公布号 | CN101110440A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200710128627.5 | 申请日期 | 2007.07.09 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 中柴康隆 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);G06K9/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;孙志湧 |
| 主权项 | 1.一种固态成像装置，其光电地将入射到半导体衬底背面上的光转换为信号电荷，从而对物体进行成像，所述固态成像装置包括：光接收单元，其在所述半导体衬底中配置在所述半导体衬底的前表面侧上，所述光接收单元与所述半导体衬底形成PN结二极管，并且接收由光电转换产生的所述信号电荷；以及光屏蔽膜，其配置在半导体衬底的所述前表面上，从而覆盖所述光接收单元，所述光屏蔽膜被配置为防止光从所述固态成像装置的外部入射到所述前表面上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||