| 发明名称 | 用于高压制程的器件隔离结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于高压制程的器件隔离结构，包括具有低压区域和高压区域的半导体衬底，通过光刻形成在低压区域的STI隔离结构，通过光刻形成在高压区域的LOCOS隔离结构。本发明还公开了该器件隔离结构的制作工艺方法。本发明在保证器件具有同样隔离效果的基础上，可尽量减小隔离结构所占用的模块面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101110423A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200610029248.6 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;陈晓波;伍宏 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种用于高压制程的器件隔离结构，其特征在于：包括具有低压区域和高压区域的半导体硅衬底，通过光刻打开低压区域并且在低压区域形成STI隔离结构，通过光刻打开高压区域并且在高压区域形成LOCOS隔离结构。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||