| 发明名称 | 环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有适用于PECVD装置的环状硅氧烷化合物的低介电常数绝缘膜用材料，并提供使用该材料的含硅膜及含这些膜的半导体器件。本发明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有选自氧原子、硼原子及氮原子中至少一种的基团，n表示1或2、x表示2～10的整数)所示环状硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。 | ||
| 申请公布号 | CN101111501A | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN200680003726.4 | 申请日期 | 2006.01.17 |
| 申请人 | 东曹株式会社 | 发明人 | 原大治;高森真由美 |
| 分类号 | C07F7/21(2006.01);C23C16/42(2006.01);H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | C07F7/21(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | 1.一种含硅膜形成材料，其含有下述通式(1)表示的环状硅氧烷化合物，[化1]式中，A表示包含选自氧原子、硼原子和氮原子中的至少一种的基团，R1 表示氢原子或烃基，n表示1或2，x表示2～10的整数。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||