用于制备取向的PZT电容器的晶体构造电极的方法

摘要

本发明描述了一种底电极结构及其制造方法，该底电极结构可以用于制备用来构造能够增强铁电体存储器性能的取向的PZT电容器的晶体结构的铱电极。使用具有{0001}取向的六方晶体结构的晶种层来提供一种用于生长{111}取向的铱的光滑表面，所生长的铱呈现出面心立方晶格(″FCC″)结构。此晶种技术所制得的{111}取向的铱的表面糙度相对于薄膜厚度是很小的。高度取向的铱层又为{111}取向的PZT介质层的生长提供了支持。取向PZT呈现出增强的换向极化、减小的工作电压，并且可以改善用于FRAM^存储器和其它微电子设备的PZT电容器的可靠性。

主权项

1.一种铁电体电容器，包括：一个晶种层；一个底电极层，其中在底电极层和晶种层之间的晶格失配小于±25％；在底电极层上形成的铁电体介质层；和在铁电体介质层上形成的顶电极层。