| 发明名称 | 半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置，对尺寸不同的TFT，进行晶粒直径的控制，使作为TFT激活层的沟道区内的横切电流方向上的平均晶粒界N<SUB>a</SUB>成为一定。本发明的薄膜半导体装置具有：绝缘体基片；非晶质半导体膜，设置在绝缘体基片上；第一晶粒直径的结晶区域，设置在非晶质半导体膜上，被第一光束截面的激光照射而结晶；第二晶粒直径的结晶区域，设置在非晶质半导体膜上，在与第一晶粒直径的结晶区域不同的位置被第二光束截面的激光照射而结晶；第一薄膜晶体管，设置在第一晶粒直径的结晶区域上；第二薄膜晶体管，设置在第二晶粒直径的结晶区域上。 | ||
| 申请公布号 | CN100364037C | 申请公布日期 | 2008.01.23 |
| 申请号 | CN03160364.5 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 十文字正之;松村正清;木村嘉伸;西谷干彦;平松雅人;谷口幸夫;中野文树;小川裕之 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：具有：绝缘体基片；非晶质半导体膜，设置在该绝缘体基片上；第一晶粒直径的结晶区域，设置在该非晶质半导体膜上，被第一光束截面的激光照射而结晶；第二晶粒直径的结晶区域，设置在上述非晶质半导体膜上，在与上述第一晶粒直径的结晶区域不同的位置被第二光束截面的激光照射而结晶；第一薄膜晶体管，设置在上述第一晶粒直径的结晶区域上；以及第二薄膜晶体管，设置在上述第二晶粒直径的结晶区域上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||