聚焦环和等离子体处理装置

摘要

提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

主权项

1.一种环状的聚焦环，被配置在处理室内的、载置被处理基板的下部电极上，且将所述被处理基板的周围围住，所述处理室用来收容被处理基板以实施规定的等离子体处理，其特征在于，该聚焦环具备由介电物质构成的下侧构件，和配置在该下侧构件的上部、由导电性材料构成上侧构件，所述上侧构件在上表面上形成外周一侧比内周一侧更高的倾斜部分，而且被构成为使得该倾斜部分的外周一侧端部的位置至少比所述被处理基板的被处理面更高，并设置与所述被处理基板的周缘部分的规定间隔，在所述下部电极与所述下侧构件之间，设置有导电性构件。