| 主权项 |
1.一种在用以从一制造系统中移除在一光罩之缺 陷修补期间所使用之蚀刻助气的方法,此方法系使 用在一积体电路的制造中,该方法至少包括: (a)检视该光罩与侦测一缺陷,其中该缺陷是位在一 缺陷区中;以及 (b)修补该缺陷,并添加苯乙烯至该系统中。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻助 气是氟化氙。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中添加至该 蚀刻助气中的该苯乙烯数量是大约0.8 torr。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该缺陷是 不透明缺陷。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻助 气是在光罩修补期间和离子束扫描一起使用。 6.一种用以减少存在于一光罩上之表面缺陷的方 法,此方法系使用在在一积体电路制造系统中,该 方法至少包括: (a)检视该光罩与侦测一缺陷,其中该缺陷是位在一 缺陷区中;以及 (b)修补该缺陷,并添加苯乙烯,以移除该系统中的 蚀刻助气。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该蚀刻助 气是氟化氙。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中添加至该 蚀刻助气中的该苯乙烯数量是大约0.8 torr。 9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该缺陷是 不透明缺陷。 10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该蚀刻 助气是在光罩修补期间和离子束扫描一起使用。 11.一种用以减少残留在一光罩之一MOS膜上之气体 的方法,此方法系使用在一积体电路制造系统中, 该方法至少包括: (a)检视该光罩与侦测一缺陷,该缺陷是位在一缺陷 区中;以及 (b)修补该缺陷,并添加苯乙烯至该系统中。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中残留在 该光罩之该气体是含氟化氙之蚀刻助气。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中添加至 该蚀刻助气中的该苯乙烯数量是大约0.8 torr。 14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该缺陷 是不透明缺陷。 15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该蚀刻 助气是在光罩修补期间和离子束扫描一起使用。 |
