| 主权项 |
1.一种测定方法,藉由可依复数方式施行测定的测 定装置,对被测定材的复数地方测定被测定材物性 ,包括: 对被测定材任一地方施行测定的第1步骤; 对该任一地方,依可较该第1步骤的测定更短时间 测定的方式施行测定的第2步骤; 计算出该第2步骤测定结果近似于该第1步骤测定 结果之近似式的第3步骤; 对其余地方依该第2步骤的方式施行测定之第4步 骤;以及 对该第4步骤测定结果根据该近似式进行补正的第 5步骤。 2.一种测定方法,利用可依复数方式施行测定的测 定装置,对被测定材的复数每个地方照射光,并测 定反射光状态变化,包括: 对被测定材的任一地方照射光并施行测定的第1步 骤; 对该任一地方照射光,并依可较该第1步骤的测定 更短时间测定的方式施行测定的第2步骤; 计算出该第2步骤测定结果近似于该第1步骤测定 结果之近似式的第3步骤; 对其余地方照射光,并依该第2步骤的方式施行测 定之第4步骤;以及 对该第4步骤测定结果根据该近似式进行补正的第 5步骤。 3.一种解析方法,利用可依复数方式施行测定与解 析的解析装置,对被解析材复数地方测定被解析材 物性,并对被解析材进行解析,包括: 对被解析材任一地方施行测定的第1步骤; 根据该第1步骤的测定结果,对该任一地方进行解 析的第2步骤; 对该任一地方,依可较该第1步骤的测定更短时间 测定的方式施行测定的第3步骤; 根据该第3步骤测定结果,对该任一地方,依可较该 第2步骤的解析更短时间进行解析的方式,执行解 析的第4步骤; 计算出该第4步骤解析结果近似于该第2步骤解析 结果之近似式的第5步骤; 对其余地方依该第3步骤的方式施行测定之第6步 骤; 根据该第6步骤测定结果,对该其余地方依该第4步 骤的方式进行解析的第7步骤;以及 对该第7步骤解析结果根据该近似式进行补正的第 8步骤。 4.一种解析方法,利用可依复数方式施行测定与解 析的测定装置,对被解析材复数地方测定被解析材 物性,并对被解析材进行解析,包括: 对被解析材任一地方施行测定的第1步骤; 形成具有被解析材物性相关复数参数之第1模型的 第2步骤; 根据该第1步骤的测定结果与该第1模型,对该任一 地方计算出被解析材基准値的第3步骤; 对该任一地方,依可较该第1步骤的测定更短时间 测定的方式施行测定的第4步骤; 形成较该第1模型更少参数之第2模型的第5步骤; 根据该第4步骤的测定结果与该第2模型,对该任一 地方计算出被解析材之第1解析値的第6步骤; 计算出该第1解析値近似于该基准値之近似式的第 7步骤; 对其余地方依该第4步骤的方式施行测定的第8步 骤; 根据该第8步骤的测定结果与该第2模型,对该其余 地方计算出被解析材之第2解析値的第9步骤;以及 对该第2解析値根据该近似式进行补正的第10步骤 。 5.一种解析方法,利用可依复数方式施行测定与解 析的测定装置,对被测定材的复数每个地方照射光 ,并利用测定反射光的状态变化,而对被解析材进 行解析,包括: 对被解析材任一地方照射光,并施行测定的第1步 骤; 形成具有被解析材物性相关复数参数之第1模型的 第2步骤; 根据该第1步骤的测定结果与该第1模型,对该任一 地方计算出被解析材基准値的第3步骤; 对该任一地方照射光,并依可较该第1步骤的测定 更短时间测定的方式施行测定的第4步骤; 形成较该第1模型更少参数之第2模型的第5步骤; 根据该第4步骤的测定结果与该第2模型,对该任一 地方计算出被解析材之第1解析値的第6步骤; 计算出该第1解析値近似于该基准値之近似式的第 7步骤; 对其余地方依该第4步骤的方式施行测定的第8步 骤; 根据该第8步骤的测定结果与该第2模型,对该其余 地方计算出被解析材之第2解析値的第9步骤;以及 对该第2解析値根据该近似式进行补正的第10步骤 。 6.一种测定装置,对被测定材的复数地方测定被测 定材物性,包括: 第1测定手段,对被测定材任一地方施行测定; 第2测定手段,依可较该第1测定手段更短时间测定 的方式,对复数地方施行测定; 近似式计算手段,计算出依该第2测定手段对该任 一地方施行测定的测定结果,近似于该第1测定手 段测定结果的近似式;以及 补正手段,对由该第2测定手段在复数地方外之其 余地方,施行测定的测定结果,根据该近似式进行 补正。 7.一种解析装置,对被解析材复数地方测定被解析 材物性,并解析被解析材,包括: 第1测定手段,对被解析材任一地方施行测定; 第2测定手段,依可较该第1测定手段更短时间测定 的方式,对复数地方施行测定; 第1模型形成手段,形成具有被解析材物性相关复 数参数的第1模型; 第2模型形成手段,形成较该第1模型更少参数的第2 模型; 基准计算手段,根据依该第1测定手段所测得测定 结果与该第1模型,对该任一地方计算出被解析材 的基准値; 第1计算手段,根据依该第2测定手段所测得该任一 地方的测定结果与该第2模型,对该任一地方计算 出被解析材的第1解析値; 近似式计算手段,计算出该第1解析値近似于该基 准値的近似式; 第2计算手段,根据依该第2测定手段对复数地方外 之其余地方所测得测定结果、与该第2模型,对该 其余地方计算出被解析材的第2解析値;以及 补正手段,对该第2解析値根据该近似式进行补正 。 8.一种椭圆仪,对被测定材的复数每个地方,照射经 偏光的光,并测定反射光之偏光状态,包括: 第1测定手段,对被测定材任一地方照射光并施行 测定; 第2测定手段,对复数地方照射光,并依可较该第1测 定手段更短时间测定之方式施行测定; 近似式计算手段,计算出依该第2测定手段对该任 一地方的测定结果,近似于该第1测定手段测定结 果的近似式;以及 补正手段,对依该第2测定手段对复数地方外之其 余地方的测定结果,根据该近似式进行补正。 9.一种椭圆仪,对被解析材的复数每个地方照射经 偏光的光,并测定反射光的偏光状态,而对被解析 材进行解析,包括: 第1测定手段,对被解析材的任一地方照射光的并 施行测定; 第2测定手段,对复数地方照射光,并依可较该第1测 定手段更短时间测定之方式施行测定; 第1模型形成手段,形成具有被解析材物性相关复 数参数的第1模型; 第2模型形成手段,形成较该第1模型更少参数的第2 模型; 第2模型形成手段,形成较该第1模型更少参数的第2 模型; 基准计算手段,根据依该第1测定手段所测得测定 结果与该第1模型,对该任一地方计算出被解析材 的基准値; 第1计算手段,根据依该第2测定手段所测得该任一 地方的测定结果与该第2模型,对该任一地方计算 出被解析材的第1解析値; 近似式计算手段,计算出该第1解析値近似于该基 准値的近似式; 第2计算手段,根据依该第2测定手段对复数地方外 之其余地方所测得测定结果、与该第2模型,对该 其余地方计算出被解析材的第2解析値;以及 补正手段,对该第2解析値根据该近似式进行补正 。 10.如申请专利范围第8或9项之椭圆仪,其中,该第1 测定手段系具备分光器;该第2测定手段系具备有 可同时施行光之各波长测定的测定部。 11.一种储存媒体,用以储存一电脑程式,上述电脑 程式可载入于一电脑系统并且执行下述之方法,计 算出被测定材复数地方的测定相关数値,上述电脑 程式包括: 近似式计算手段,使电脑根据对被测定材任一地方 的第1测定结果、与依该第1测定结果的测定较短 时间施行测定之被测定材第2测定结果,计算出该 任一地方的该第2测定结果,近似于该第1测定结果 的近似式;以及 补正手段,对该第2测定结果中之其余地方的结果, 根据该近似式进行补正。 12.一种储存媒体,用以储存一电脑程式,上述电脑 程式可载入于一电脑系统并且执行下述之方法,其 在电脑中接收被解析材的复数地方测定结果,并对 被解析材进行解析,上述电脑程式包括: 第1模型形成手段,形成具有被解析材物性相关复 数参数的第1模型; 第2模型形成手段,形成较该第1模型更少参数的第2 模型; 基准计算手段,根据对任一地方的第1测定结果与 该第1模型,对该任一地方计算被解析材的基准値; 第1计算手段,对依较该第1测定结果的测定更短时 间,施行测定的被测定材之第2测定结果中该任一 地方的结果、与该第2模型,对该任一地方计算出 被解析材的第1解析値; 近似式计算手段,计算出该第1解析値近似于该基 准値的近似式; 第2计算手段,根据该第2测定结果中之其余地方的 结果、与该第2模型,对该其余地方计算出被解析 材的第2解析値;以及 补正手段,对该第2解析値根据该近似式进行补正 。 图式简单说明: 第1图系本发明实施形态的椭圆仪整体构造图。 第2图系试片剖视图。 第3A图系试片的网格形态平面图。 第3B与3C图系另一网格形态平面图。 第4图系第1分光器的内部构造概略图。 第5图系第2分光器的内部构造概略图。 第6图系采用椭圆仪的解析方法整体处理顺序之第 1流程图。 第7图系求取膜厚与光学常数之处理顺序的第2流 程图。 第8图系本发明测定方法的处理顺序的第3流程图 。 第9图系本发明的拉曼分光装置概略构造图。 |
