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1.一种发光二极体封装结构,用以封装一个发光二 极体晶片,且具有: 一矽基座,具有至少一个凹槽; 一反射层,位于该凹槽之一内表面上; 一透明绝缘层,位于该反射层上;及 一金属凸块,位于该透明绝缘层上; 其中该发光二极体晶片系安置在该金属凸块之上, 且发光二极体晶片之电极系在与金属凸块相反的 一侧。 2.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其 中更包含一填入凹槽内之保护胶,该保护胶具有一 平整之上表面。 3.如申请专利范围第2项之发光二极体封装,其中更 包含一萤光粉层,位于保护胶之上。 4.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其 中更包含一与矽基座下表面接合之导热板。 5.如申请专利范围第4项之发光二极体封装结构,其 中该导热板为印刷电路板(PCB)、铜板或是石墨金 属复合物材质。 6.如申请专利范围第4项之发光二极体封装结构,其 中该导热板具有至少一个通孔。 7.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其 中更包含一将矽基座包覆之聚光杯。 8.如申请专利范围第7项之发光二极体封装结构,其 中该聚光杯之材质为PC塑胶或是压克力。 9.如申请专利范围第1项之发光二极体封装结构,其 中凹槽深度为100-300毫米,凹槽角度为15-140度。 10.如申请专利范围第3项之发光二极体封装结构, 其中萤光粉层为钇铝石榴石(YAG)萤光粉层,且厚度 为50-200微米。 图式简单说明: 第一图 系习知技术发光二极体封装侧视图。 第二图 系依据本创作之一较佳具体实例之发光二 极体封装制作方法流程图。 第三A图至第三J图 系对应第二图步骤之侧视图。 第四图 系依据第二图流程所制成发光二极体封装 侧视图。 |
