| 主权项 |
1.一种去除光阻图案的方法,其包括使用化学扩大 正型光阻组成物在基板上形成光阻图案之光阻图 案形成步骤以及使用溶剂从基板去除光阻图案之 去除步骤, 使用一藉由将(A)在侧链含羟基的硷可溶解树脂、( B)光酸产生剂及(C)下列通式(I)代表的化合物: H2C=CH-O-R1-O-CH=CH2 (I) 其中R1代表可有一个取代基之含1至10个碳原子之 伸烷基或下列通式(II)代表的基团: (其中R4代表可有一个取代基之含1至10个碳原子之 伸烷基,且m代表0或1)溶解在有机溶剂所制备之组 成物作为化学扩大正型光阻组成物, 该方法进一步包括在光阻图案形成步骤及去除步 骤之间,于150至400℃之温度热处理具有光阻图案形 成于其上的基板之热处理步骤。 2.一种去除光阻图案的方法,其包括使用化学扩大 正型光阻组成物在基板上形成光阻图案之光阻图 案形成步骤以及使用溶剂从基板去除光阻图案之 去除步骤, 使用一藉由将(a)(A)在侧链含羟基的硷可溶解树脂 及(C)下列通式(I)代表的化合物之反应产物: H2C=CH-O-R1-O-CH=CH2 (I) 其中R1代表可有一个取代基之含1至10个碳原子之 伸烷基或下列通式(II)代表的基团: (其中R4代表可有一个取代基之含1至10个碳原子之 伸烷基,且m代表0或1)及(B)光酸产生剂溶解在有机 溶剂所制备之组成物作为化学扩大正型光阻组成 物, 该方法进一步包括在光阻图案形成步骤及去除步 骤之间,于150至400℃之温度热处理具有光阻图案形 成于其上的基板之热处理步骤。 3.如申请专利范围第1或2项之去除方法,其中使用 含羟基苯乙烯构成单元之羟基苯乙烯系树脂作为 成份(A)。 4.如申请专利范围第1或2项之去除方法,其中热处 理时间是60至600秒。 5.如申请专利范围第1或2项之去除方法,其中在去 除步骤中,使用选自:PGME(丙二醇单甲醚)、PGMEA(丙 二醇单甲醚醋酸酯)、-丁内酯、甲基乙基酮、 醋酸丁酯、DMSO(二甲亚)及单乙醇胺之至少一者 作为溶剂。 |
