| 主权项 |
1.一种式IV所示之14-羟基降吗啡酮衍生物的制备方 法 其包含将式III所示之化合物 与钴(II)氧化剂在有温和硷及以空气或氧气做为辅 氧化剂的情况下进行反应;该钴(II)氧化剂是一种 选自CoF2、CoCl2、CoBr2、Co(II)硫酸盐、Co(II)硝酸盐 、Co(II)醋酸盐、 Co(II)丙酸盐、及其混合物的钴(II)盐类,其中R1系(1C -7C)烷基; 且R2为基,或为被一或多个(1C-6C)烷氧基团所取代 之基,或为被一或多个卤素所取代之基; 而其中反应温度通常高于室温,且可视所用溶剂的 沸点加以选择,但不高于约100℃。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该氧化剂为Co( OAc)2。 3.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中该辅 氧化剂为氧。 4.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中该温 和硷为醋酸钠、醋酸钾、磷酸钠或磷酸钾。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该温和硷为醋 酸钠。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中R1为乙基。 7.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中R2为 基。 8.一种如申请专利范围第1项中以式III所示之吗啡 酮衍生物。 9.如申请专利范围第8项之吗啡酮衍生物,其中R1为 乙基。 10.如申请专利范围第8项或第9项之吗啡酮衍生物, 其中R2为基。 11.一种式III所示之化合物的制备方法,其包含 令式II所示之吗啡衍生物与一能有效将烯丙系羟 基团氧化形成酮基团的氧化剂进行反应性接触,而 可制备如申请专利范围第1项中所提出之式III化合 物,而R1和R2系如申请专利范围第1项中所定义者。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该氧化剂为 重铬酸钠。 13.如申请专利范围第11项或第12项之方法,其中R1为 乙基且R2为基。 14.一种如申请专利范围第11项中以式II所示的吗啡 衍生物。 15.如申请专利范围第14项之吗啡衍生物,其中R1为 乙基。 16.如申请专利范围第14项或第15项之吗啡衍生物, 其中R2为基。 17.一种降羟二氢吗啡酮之制备方法,其包含一反应 步骤,其中将式III所示之吗啡酮衍生物氧化成如申 请专利范围第1项中所列之式IV所示的14-羟基降吗 啡酮衍生物。 18.如申请专利范围第17项之方法,其还包含将如申 请专利范围第11项中所定义之式II化合物进行氧化 ,以形成如申请专利范围第1项中所定义之式III所 示的吗啡酮衍生物。 19.如申请专利范围第17项之方法,其中将吗啡转化 成降羟二氢吗啡酮,其包含下列步骤 (a)将具式I之吗啡 经由与式X-C(=O)OR1(其中R1如先前所定义,且X为卤素) 所示之卤基甲酸酯反应,接着与R2-X(其中X和R2如先 前所定义)反应而转化,以形成如申请专利范围第11 项中所定义之式II的吗啡衍生物; (b)根据申请专利范围第11项所列之方法,将式II之 吗啡氧化,以形成式III之吗啡酮衍生物; (c)根据申请专利范围第1项所列之方法,将式III之 吗啡酮衍生物氧化,以形成式IV之14-羟基降吗啡酮 衍生物; (d)将式IV之14-羟基降吗啡酮衍生物的3-位置处去保 护,并将7,8-位置处之双键还原,以形成式V之3,14-羟 基降吗啡酮衍生物, (e)将式V之3,14-羟基降吗啡酮衍生物水解成式VI之 降羟二氢吗啡酮 |
