| 主权项 |
1.一种基板处理装置,其具有: 反应容器,可容纳基板,且可形成被供应多种的反 应气体,以对上述基板施加所欲处理的空间; 排气口,开口于上述反应容器,作为上述反应容器 内的排气用;及 气体供应系统,至少可将上述多种的反应气体供应 于上述反应容器之中,其中 上述气体供应系统系包含: 清洗气体供应设备,可供应清洗气体以除去对上述 基板施加所欲处理,附着于反应容器内的附着物; 和, 后处理用气体供应设备,可供应后处理用气体,以 除去经过上述供应清洗气体除去附着物后,残留于 反应容器内之清洗气体所含有的元素;而, 上述后处理用气体是包括上述对基板施加所欲处 理之际所用的上述反应气体之全部者。 2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中 上述后处理用气体供应设备系具备可将各种反应 气体以各自独立的供应之专用供应喷嘴,在将上述 反应气体作为上述后处理用气体供应时,从上述各 专用供应喷嘴将各反应气体以交替地供应者。 3.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中 从上述后处理用气体供应设备所供应的各种反应 气体是可除去各专用供应喷嘴内及反应容器内所 残留的元素,且可在反应容器内形成所欲的薄膜之 气体者。 4.如申请专利范围第3项之基板处理装置,其中 从上述各专用供应喷嘴所供应的多种反应气体,含 有矽的气体和电浆激发的氨气者。 5.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中 上述清洗气体是含有氟的气体,而该含有氟的气体 是使其从供应含有矽的专用供应喷嘴供应者。 6.如申请专利范围第4或5项之基板处理装置,其中 上述含有矽的气体是SiH2Cl2者。 7.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中 上述含有氟的气体是NF3或ClF3者。 8.一种基板处理装置,其系在于可交替的供应多种 反应气体,以在基板上形成薄膜,其包含: 反应容器; 多数专用供应喷嘴,可供应上述多数反应气体,而 分别为各该反应气体所专用;及, 控制装置,用于控制:在清洗时,自上述多数供应喷 嘴中之一将清洗气体供应于述反应容器内,而在上 述清洗气体供应后,实施基板处理之前,使基板处 理时所使用的上述多种反应气体之全部,分别从上 述多数的各专用供应喷嘴交替地供应于上述反应 容器内。 9.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中又具 备加热单元,用于将前述反应容器内加热,供应前 述清洗气体后,在进行基板处理前,将供应前述多 数反应气体时的反应容器内的温度,设定成比前述 清洗时的反应容器内的温度低。 10.如申请专利范围第9项之基板处理装置,其中又 具备电浆生成单元,用于使反应气体电浆激励,前 述多数反应气体中,至少一种反应气体被前述电浆 生成单元电浆激励,从前述供应喷嘴供给。 图式简单说明: 第1图为依本发明一实施形态所构成纵型ALD装置的 炉之概略横断面图。 第2图为依本发明一实施形态所构成纵型ALD装置的 炉之概略纵断面图。 第3图为依本发明一实施形态,反应管内的缓冲喷 嘴之透视图。 第4A图、第4B图为于形成预置薄膜采用ALD法和热CVD 法的场合中,比较清洗,形成预置薄膜及形成薄膜 的各处理温度之比较图。 第5图为依本发明一实施形态的纵型ALD装置之概略 整体构成图。 |
