发明名称 固态发光元件的封装结构及其制造方法
摘要 本发明揭示一种固态发光元件的封装结构及其制造方法,其系将矽基材应用在固态发光元件封装结构及其制造方法。该矽基材的正面与背面皆使用湿蚀刻形成反射腔与电极介层洞。反射层与电极的材料不同,可以分别针对其各自的功能选择较佳的材料。电极的形成方式可以使用图案转移,以蚀刻或是掀起等的方式完成。
申请公布号 TWI292962 申请公布日期 2008.01.21
申请号 TW094136845 申请日期 2005.10.21
申请人 先进开发光电股份有限公司 发明人 曾文良;陈隆欣
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种固态发光元件之封装结构,包含: 一具有一第一表面与一第二表面之矽基材,而该第 一表面与该第二表面相对,其中该第一表面具有一 反射腔于其上,该第二表面具有至少两个电极介层 洞于其上且透过至该反射腔; 一包覆该矽基材之第一绝缘层; 一位于该反射腔上之反射层; 一位于该反射层上之第二绝缘层; 一位于该两电极介层洞上之第一导电层,该第一导 电层作为两个电极垫并且与该反射层电性地隔离; 以及 一位于该第二表面下以及位于该两电极介层洞内 之第二导电层。 2.根据请求项1所述之固态发光元件之封装结构,其 中该第一绝缘层系氧化矽,由热氧化法形成。 3.根据请求项1所述之固态发光元件之封装结构,其 中该反射层为银、铝、金或是锡。 4.根据请求项1所述之固态发光元件之封装结构,其 中该第一导电层与该第二导电层为可焊接的材料 。 5.根据请求项4所述之固态发光元件之封装结构,其 中该第二导电层与该第一导电层电性地联接。 6.根据请求项4所述之固态发光元件之封装结构,其 中该第一导电层与该第二导电层系使用图案转移 以蚀刻法或是掀起法形成。 7.根据请求项1所述之固态发光元件之封装结构,其 中该第二绝缘层系氧化矽,由化学气相沉积法形成 。 8.根据请求项1所述之固态发光元件之封装结构,其 中该两电极介层洞是由湿蚀刻法形成。 9.根据请求项1所述之固态发光元件之封装结构,更 包含两个电极介层洞于该第二表面上且透过至该 反射腔。 10.根据请求项9所述之固态发光元件之封装结构, 其中该第一导电层作为四个电极垫,而该第二导电 层位于该四电极介层洞内且与该第一导电层电性 地联接。 11.根据请求项1所述之固态发光元件之封装结构, 其中上述之固态发光元件为发光二极体。 12.一种形成固态发光元件之封装结构的方法,包含 : 提供一矽基材; 湿式蚀刻该矽基材之一第一表面以形成一反射腔 于其上; 湿式蚀刻该矽基材之一第二表面以形成二电极介 层洞于其上并穿透该矽基板到该反射腔,其中该第 二表面相对于该第一表面; 形成一第一绝缘层包覆该矽基材; 形成一反射层于该反射腔上; 在该反射层上形成一第二绝缘层; 形成一第一导电层于该两电极介层洞上,该第一导 电层作为两个电极垫并且与该反射层电性地隔离; 以及 形成一第二导电层于该第二表面下以及位于该两 电极介层洞内。 13.根据请求项12所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该第一绝缘层系氧化矽,由热氧 化法形成。 14.根据请求项12所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该反射层为银、铝、金或是锡。 15.根据请求项14所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该形成该反射层之步骤系以电镀 法、蒸镀法或是电子束磊晶法形成。 16.根据请求项12所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该第一导电层与该第二导电层为 可焊接的材料。 17.根据请求项16所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该第一导电层与该第二导电层系 使用图案转移以蚀刻法或是掀起法形成。 18.根据请求项12所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该第二绝缘层系氧化矽,由化学 气相沉积法形成。 19.根据请求项12所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该湿式蚀刻该第二面之步骤以形 成四个电极介层洞,并穿透该矽基板到该反射腔。 20.根据请求项19所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该第一导电层作为四个电极垫, 而该第二导电层位于该四电极介层洞内且与该第 一导电层电性地联接。 21.根据请求项12所述之形成固态发光元件之封装 结构的方法,其中该固态发光元件为发光二极体。 图式简单说明: 图1系习知之发光二极体之封装结构示意图; 图2显示形成如图1之结构的制程流程图; 图3显示本发明的制程流程图;以及 图4至图13显示本发明在各步骤的结构示意图。
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