发明名称 化学机械研磨剂套组及使用该套组之化学机械研磨方法
摘要 本发明有关一种化学机械研磨方法,系使用含有研磨粒之化学机械研磨用之水性分散体(A)研磨后,除了该化学机械研磨用之水性分散体(A)以外,又并用包含至少一种含杂环之有机化合物之化学机械研磨用水性组合物(B)而进行化学机械研磨之方法。又,本发明有关一种化学机械研磨剂套组,系由化学机械研磨用之水性分散体(A)与化学机械研磨用之水性组合物(B)所构成者。依据本发明,可避免浅碟化(dishing)扩大及防止配线部份腐蚀,而可改良产率。
申请公布号 TWI292931 申请公布日期 2008.01.21
申请号 TW093113219 申请日期 2004.05.11
申请人 JSR股份有限公司 发明人 仕田裕贵;金野智久;服部雅幸;川桥信夫
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 周登龙 台北市中正区罗斯福路2段14号3楼
主权项 1.一种化学机械研磨剂套组,系由含有研磨粒之化 学机械研磨用之水性分散体(A)与含有至少一种含 杂环之有机化合物之化学机械研磨用水性组成物( B)所组成,该化学机械研磨用水性组成物(B)与该化 学机械研磨用分散体(A)不成混合状态; 其中该化学机械研磨用水性组成物(B)系(i)不含有 研磨粒或含有浓度为前述化学机械研磨用水性分 散体(A)之研磨粒浓度之1/2以下之研磨粒,(ii)含有 含杂环之有机化合物之浓度为0.005至3重量%。 2.如申请专利范围第1项之化学机械研磨剂套组,其 中该化学机械研磨用水性组成物(B)进一步含有界 面活性剂。 3.如申请专利范围第2项之化学机械研磨剂套组,其 中该化学机械研磨用水性组成物(B)又含有0.005至1 重量%浓度之界面活性剂。 4.如申请专利范围第1项之化学机械研磨剂套组,其 中该化学机械研磨用水性分散体(A)又含有氧化剂, 该化学机械研磨用水性组成物(B)不含有氧化剂或 含有浓度为该化学机械研磨用水性分散体(A)之氧 化剂浓度之1/2以下之氧化剂。 5.如申请专利范围第1项之化学机械研磨剂套组,其 中该化学机械研磨用水性分散体(A)含有研磨粒浓 度0.01至5重量%,含有含杂环之有机化合物浓度0.01 至5重量%,含有界面活性剂浓度0.01至2重量%,含有氧 化剂浓度0.01至9重量%。 6.一种化学机械研磨方法,系在由具有壕沟之基材 与埋设在该壕沟部内之金属材料所构成且以该金 属材料形成金属配线部份之配线基板制造之时,在 该配线基板之具有金属配线部份之面上所形成之 金属层进行化学机械研磨之方法,该方法之特征为 供给含研磨粒之化学机械研磨用之水性分散体(A) 而研磨该金属层,而在该金属配线部以外之非配线 区域中露出不同于金属层之层; 随后,该研磨期间之该非配线区域中残存之金属层 除了供给化学机械研磨用之水性分散体(A)以外,又 供给含有至少一种含杂环之有机化合物之化学机 械研磨用水性组成物(B)予以研磨,其中该化学机械 研磨用水性组成物(B)系(i)不含有研磨粒或含有浓 度为前述化学机械研磨用水性分散体(A)之研磨粒 浓度之1/2以下之研磨粒,(ii)含有含杂环之有机化 合物之浓度为0.005至3重量%。 图式简单说明: 第1图为本发明有关之化学机械研磨方法中各制程 之一例显示图; 第2图为本发明有关之化学机械研磨方法中各制程 之一例显示图;及 第3图为显示过度研磨时间相对于研磨终点及浅碟 化之研磨时间之比例关系图。
地址 日本