| 主权项 |
1.一种过氟化物之处理方法,其特征为: 将含于含有过氟化物之气体之该过氟化物予以分 解;将由上述过氟化物之分解所产生之含有酸性气 体之排气体,接触于水及硷性溶液之一方,以资去 除上述酸性气体;在于接触于水及硷性溶液之一方 之后,回旋上述排气以资分离含于上述排气体中之 雾;藉由喷射之气体之喷流而抽吸该雾之被分离之 上述排气体,以资排出该被抽吸之上述排气体。 2.如申请专利范围第1项所述之过氟化物之处理方 法,其中在于上述过氟化物之分解上使用催化剂者 。 3.如申请专利范围第1项所述之过氟化物之处理方 法,其中藉由喷射之气体之喷流而抽吸上述排气体 以资排出者系藉由喷射器所实施者。 4.如申请专利范围第1项所述之过氟化物之处理方 法,其中含有上述排气体之雾之分离系藉由旋风器 所实施者。 5.一种半导体制造装置之排气体处理方法,其特征 为: 将含有过氟化物而自半导体制造装置所排出之排 气体中所含之过氟化物予以分解;将由上述过氟化 物之分解所产生之含有酸性气体之排气体,接触于 水及硷性溶液之一方,以资去除上述酸性气体;在 于接触于水及硷性溶液之一方之后,回旋上述排气 体以资分离含于上述排气体中之雾;藉由喷射之气 体之喷流而抽吸该雾之被分离之上述排气体,以资 排出该被抽吸之上述排气体。 6.如申请专利范围第5项所述之半导体制造装置之 排气体处理方法,其中在于上述过氟化物之分解上 使用催化剂者。 7.如申请专利范围第5项所述之半导体制造装置之 排气体处理方法,其中藉由喷射之气体之喷流而抽 吸上述排气体以资排出者系藉由喷射器所实施者 。 8.一种过氟化物之处理装置,其特征为具备有: 被供给含有过氟化物之气体,以资分解上述过氟化 物之过氟化物分解装置,及自藉由上述过氟化物之 分解所生成之含有酸性气体之排气体中,去除上述 酸性气体之酸性气体去除装置,及回旋自上述酸性 气体除去装置所排出之上述排气体以资分离含于 上述排气体之雾的雾分离装置,及藉由喷射之气体 之喷流抽吸排出上述雾分离装置内之排气体之气 体抽吸装置。 9.如申请专利范围第8项所述之过氟化物之处理装 置,其中具备有将上述含有酸性气体之上述排气体 ,使之与水及硷性溶液之一方接触以资去除上述酸 性气体的上述酸性气体除去装置。 10.如申请专利范围第9项所述之过氟化物之处理装 置,其中又备有:配置于上述酸性气体去除装置及 上述雾分离装置之下方,以资接受上述酸性气体去 除装置所排出之上述水及硷性溶液之一方之槽,以 及将经上述雾分离装置所分离之雾引导至上述槽 之排出管者。 11.如申请专利范围第8项所述之过氟化物之处理装 置,其中上述过氟化物分解装置乃填充有作用于上 述过氟化物之分解之催化剂者。 12.如申请专利范围第11项所述之过氟化物之处理 装置,其中上述催化剂系包含Al氧化物、再含有由 Zn、Ni、Ti、F、Sn、Co、Zr、Ce、Si、Pt中所选用之至 少一种之氧化物者。 13.如申请专利范围第8项至第12项中任一项所述之 过氟化物之处理装置,其中上述气体抽吸装置系喷 射器者。 14.如申请专利范围第13项所述之过氟化物之处理 装置,其中备有:当供给于上述喷射器之驱动用气 体之压力越过规定压力时停止对于上述喷射器之 上述驱动用气体之供给之手段者。 15.如申请专利范围第8项所述之过氟化物之处理装 置,其中上述雾分离装置是旋风器者。 图式简单说明: 第1图系本发明之合宜之一实施例之过氟化物处理 装置之构成图。 第2图系适用了第1图之过氟化物处理装置之半导 体制造设备之构成图。 第3图系第1图所示之旋风器之纵断面图。 第4图系第3图之IV-IV断面图。 第5图系第1图所示之喷射器之纵断面图。 第6图系第5图之VI部之扩大断面图。 第7图系第1图所示之排水槽之纵断面图。 第8图系表示第5图之喷射器之排气槽之纵断面图 。 第9图系表示本发明之其他实施例之过氟化物处理 装置之构成图。 第10图系适用了过氟化物处理装置之半导体制造 设施之其他实施例之构成图。 |
