| 主权项 |
1.一种抗反射硬质罩幕组成物,系包含: (a)一聚合物组份,其包含至少一聚合物,该聚合物 具有一具有化学式(I)之单体单元 其中 R1及R2是各自独立选自于由氢、羟基、C1-10烷基、C 6-10芳基、烯丙基及卤素所组成之群组; R3及R4是各自独立选自于由氢、一交联官能基及一 色基所组成之群组; R5及R6是各自独立选自于由氢及一具有化学式(II) 结构之烷氧基矽氧烷所组成之群组,其中于至少一 具有化学式(I)之单体单元中,至少一R5及R6是该具 有化学式(II)结构之烷氧基矽烷; 其中 R8、R9及R10是各自独立选自于由氢、烷基及芳基所 组成之群组;且x是0或一正整数; R7是选自于由氢、C1-10烷基、C6-10芳基及烯丙基所 组成之群组;且n是一正整数; (b)一交联组份;以及 (c)一酸催化剂。 2.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其中 R8、R9及R10是各自独立选自于由甲基、乙基、C3-10 烷基及C6-10芳基所组成之群组;且n是一由1至大约 100之整数。 3.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其包含: 大约1-20重量%之聚合物组份; 大约0.1-5重量%之交联组份;以及 大约0.001-0.05重量%之酸催化剂。 4.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其中该包含一单体单元具有化学式(I)之聚合物系 具有一落在一大约1,000-30,000克/莫耳范围内之重量 平均分子量。 5.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其更进一步系包含一溶剂。 6.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其更进一步系包含一界面活性剂。 7.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其中该色基是选择自于由苯基、 基(chrysenyl)、芘 基(pyrenyl)、芙基(fluoranthrenyl)、酮基(anthronyl)、 二苯基酮基(benzophenonyl)、硫 基(thioxanthonyl)、基 (anthracenyl)、基衍生物及任一此等组合所组成之 群组。 8.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其中该交联官能基是选自于由环氧基、酯、烷氧 基及羟基所组成之群组。 9.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物, 其中该交联组份是选自于由一蜜胺树脂(melamine resin)、一胺基树脂、一二醇化合物、一双环氧 基化合物及任一此等组合所组成之群组。 10.如申请专利范围第1项之抗反射硬质罩幕组成物 ,其中该酸催化剂是选自于由对甲苯磺酸单一水合 物、啶对甲苯磺酸酯、2,4,4,6-四溴环己二烯酮 、一有机磺酸之烷基酯及任一此等组合所组成之 群组。 11.如申请专利范围第10项之抗反射硬质罩幕组成 物,其中该有机磺酸是选自于由安息香对甲苯磺酸 酯、2-硝基基对甲苯磺酸酯及任一此等组合所 组成之群组。 12.一种用以于一基材上形成一图案材料层之方法, 其包含: (a)于一材料层上形成一抗反射硬质罩幕层,其中该 硬质罩幕层系包含一如申请专利范围第1项之组成 物; (b)于该抗反射硬质罩幕层上形成一照射致敏影像 层; (c)曝露该影像层来进行照射; (d)显影该影像层及该抗反射层来部分曝露该材料 层;以及 (e)蚀刻该部分曝露材料层。 13.一种半导体积体电路,其系使用申请专利范围第 12项之方法而制造者。 |
