| 主权项 |
1.一种多晶矽膜的制造方法,其步骤至少包括: 提供基板,其中于前述基板上至少形成有金属层; 于基板上直接沈积多晶矽膜;以及 对前述多晶矽膜进行热板退火制程。 2.如申请专利范围第1项所述之多晶矽膜的制造方 法,其中前述热板退火制程包括快速热退火制程。 3.如申请专利范围第1项所述之多晶矽膜的制造方 法,其中前述热板退火制程的制程温度为摄氏500度 至700度。 4.如申请专利范围第1项所述之多晶矽膜的制造方 法,其中前述热板退火制程的热处理气氛、周期为 可调变。 5.如申请专利范围第1项所述之多晶矽膜的制造方 法,其中前述热板退火制程的热处理时间不超过30 分钟。 6.一种薄膜电晶体的制造方法,其步骤至少包括: 于基板上形成薄膜电晶体,其中前述薄膜电晶体至 少具有通道层,且前述通道层为直接沈积制程所形 成的多晶矽膜;以及 对前述通道层进行热板退火制程。 7.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中于前述基板上形成前述薄膜电晶体的制 程包括:于前述基板上形成闸极金属层;于前述闸 极金属层上形成闸极绝缘层;于前述闸极绝缘层上 形成前述通道层以及欧姆接触层;以及于前述欧姆 接触层上形成源极/汲极金属层。 8.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中前述欧姆接触层为直接沈积制程所形成 的多晶矽膜。 9.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中前述热板退火制程于形成前述通道层以 及前述欧姆接触层之后进行。 10.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中形成前述通道层与前述欧姆接触层的步 骤包括:于前述基板上形成通道层的材料层与欧姆 接触层的材料层;以及图案化前述通道层的材料层 与前述欧姆接触层的材料层以形成前述通道层与 前述欧姆接触层。 11.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体的制 造方法,其中前述热板退火制程于形成前述通道层 的材料层与前述欧姆接触层的材料层之后进行。 12.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中形成前述源极/汲极金属层的步骤包括: 于前述基板上形成源极/汲极金属层的材料层;以 及图案化前述源极/汲极金属层的材料层以形成前 述源极/汲极金属层。 13.如申请专利范围第12项所述之薄膜电晶体的制 造方法,其中前述热板退火制程于形成前述源极/ 汲极金属层的材料层之后进行。 14.如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中更包括以前述源极/汲极金属层为罩幕, 移除部分之前述欧姆接触层以露出通道层。 15.如申请专利范围第14项所述之薄膜电晶体的制 造方法,其中前述热板退火制程于移除部分之欧姆 接触层之后进行。 16.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中前述热板退火制程包括快速热退火制程 。 17.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中前述热板退火制程的制程温度为摄氏500 度至700度。 18.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中前述热板退火制程的热处理气氛、周期 为可调变。 19.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中前述热板退火制程的热处理时间不超过 30分钟。 图式简单说明: 图1所绘示为本发明较佳实施例之多晶矽膜的制造 方法的流程图。 图2A至图2E所绘示为本发明较佳实施例之薄膜电晶 体的制造方法的剖面示意图。 |
