| 主权项 |
1.一种光感测元件之制法,该制法系包括下列步骤: 于基板上制作出光转换元件; 于该光转换元件上形成抗反射涂层;以及 于该抗反射涂层上形成能吸收某特定波段之光而 放射出易于光转换元件感测之波段之光之萤光物 质。 2.如申请专利范围第1项之光感测元件之制法,其中 ,该光转换元件系将光讯号转为电讯号之元件。 3.如申请专利范围第2项之光感测元件之制法,其中 ,该光转换元件系为金属-半导体-金属。 4.如申请专利范围第3项之光感测元件之制法,其中 ,该光转换元件系具有复数个凹部以配合各不同波 段之光之入射深度。 5.如申请专利范围第4项之光感测元件之制法,其中 ,该凹部较深处系吸收和感测入射深度较深之光。 6.如申请专利范围第2项之光感测元件之制法,其中 ,该光转换元件系为正-本-负二极体(P-I-N)。 7.如申请专利范围第2项之光感测元件之制法,其中 ,该光转换元件系为正负接面二极体(P-N)。 8.如申请专利范围第2项之光感测元件之制法,其中 ,该光转换元件系为光导体(photo-conductor)。 9.如申请专利范围第2项之光感测元件之制法,其中 ,该光转换元件系为光电晶体(photo-transistor)。 10.如申请专利范围第2项之光感测元件之制法,其 中,该光转换元件系为萧基特能障感测器(Schottky barrier detector)。 11.如申请专利范围第1项之光感测元件之制法,其 中,于该光转换元件上形成一层抗反射涂层系利用 沉积方式沉积适当折射率之材质后,再将所沉积之 材质表面蚀刻成凸面。 12.如申请专利范围第11项之光感测元件之制法,其 中,该抗反射涂层系能够使自外界入射之光聚焦至 该光转换元件上。 13.如申请专利范围第1项之光感测元件之制法,其 中,该萤光物质所吸收之特定波段之光系紫外光。 14.如申请专利范围第1项之光感测元件之制法,其 中,该萤光物质所吸收之特定波段之光系红外光。 15.一种光感测元件,系包括: 基板; 光转换元件,设置于该基板上; 抗反射涂层,形成于该光转换元件上;以及 萤光物质,形成于该抗反射涂层上。 16.如申请专利范围第15项之光感测元件,其中,该光 转换元件系将光讯号转为电讯号之元件。 17.如申请专利范围第15项之光感测元件,其中,该抗 反射涂层之表面系为凸面。 18.如申请专利范围第17项之光感测元件,其中,该抗 反射涂层之表面系能够使自外界入射之光聚焦至 该光转换元件上。 19.如申请专利范围第15项之光感测元件,其中,该萤 光物质系能够吸收某特定波段之光而放射出其他 波段之光。 20.如申请专利范围第19项之光感测元件,其中,该特 定波段之光系紫外光。 21.如申请专利范围第19项之光感测元件,其中,该特 定波段之光系红外光。 22.如申请专利范围第19项之光感测元件,其中,该放 射出之其他波段之光系适合于光转换元件吸收且 感测之波段之光。 图式简单说明: 第1A图系说明于矽基板上制作光转换元件; 第1B图系说明于该光转换元件上形成抗反射涂层; 以及 第1C图系说明于本发明之光感测元件上形成萤光 物质。 |
