| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleitereinrichtung, welche einen aus einem ersten Wafer vereinzelten ersten Chip und einen aus einem zweiten Wafer vereinzelten zweiten Chip, deren aktive Flächen einander gegenüberliegen, und eine durch Waferbonden hergestellte elektrische und mechanische Verbindung zwischen den aktiven Flächen des ersten und zweiten Chips aufweist, wobei auf dem ersten und zweiten Wafer jeweils derart metallische Kontaktbereiche gebildet werden, dass diese bei einer geeignet gewählten Übereinander-Positionierung des ersten und zweiten Wafers mit einander zugewandten aktiven Flächen einander gegenüberliegen, der erste und zweite Wafer mit einander zugewandten aktiven Flächen in vorbestimmtem Abstand derart übereinander positioniert und fixiert werden, dass die Kontaktbereiche einander gegenüberliegen, der erste und zweite Wafer im miteinander fixierten Zustand in ein Bad zur elektrolosen Metallabscheidung auf den Kontaktbereichen verbracht und darin belassen werden, bis die auf den einander gegenüberliegenden Kontaktbereichen des ersten und zweiten Wafers aufwachsenden Metallschichten miteinander verwachsen sind. |
