Halbleiterschaltungsanordnung, Systemträger und Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers und einer Halbleiterschaltungsanordnung

摘要

Halbleiterschaltungsanordnung mit einem auf einem Verdrahtungsträger mittels einer Klebstoffschicht fest angebrachten Halbleiterbauelement oder einer integrierten Halbleiterschaltung, wobei selektiv auf einer metallischen Klebestelle des Verdrahtungsträgers eine pyrolytisch abgeschiedene Haftvermittlerschicht mit hoher Oberflächenenergie und/oder hoher Porosität im Nanometerbereich vorgesehen ist.