Vorrichtung zur Herstellung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums, für elektrotechnische Zwecke,申请号AT19570002599-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Vorrichtung zur Herstellung reinsten Halbleitermaterials, insbesondere Siliziums, für elektrotechnische Zwecke
摘要
申请公布号	AT207363(B)	申请公布日期	1960.01.25
申请号	AT19570002599	申请日期	1957.04.18
申请人	SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	DR. HANS SCHWEICKERT;DR. KONRAD REUSCHEL;DR. HEINRICH GUTSCHE
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
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