发明名称 Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht für ein elektronisches Bauelement
摘要 Ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht, die sich zwischen zwei oder mehr Elementen eines elektronischen Bauelements erstreckt, beinhaltet das Anordnen einer frei stehenden dielektrischen Schicht über den Elementen und einer deformierten Stützschicht unterhalb der Elemente. Die frei stehende dielektrische Schicht wird auf mindestens einen Teilbereich der ersten Oberfläche des ersten Elements und auf mindestens einen Teilbereich der ersten Oberfläche des zweiten Elements laminiert, so dass sich ein Teilbereich der dielektrischen Schicht zwischen der ersten Oberfläche des ersten Elements und der ersten Oberfläche des zweiten Elements erstreckt.
申请公布号 DE102007032636(A1) 申请公布日期 2008.01.17
申请号 DE20071032636 申请日期 2007.07.11
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 EWE, HENRIK;WEIDNER, KARL
分类号 H01L21/56;H01L21/52;H01L21/60 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人
主权项
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