发明名称 Herstellungsverfahren einer Anordnung mit einem Verbindungshalbleiter-Kristall und Herstellungsverfahren einer Verbindungshalbleiterschichten-Struktur
摘要
申请公布号 DE69738342(D1) 申请公布日期 2008.01.17
申请号 DE1997638342 申请日期 1997.09.29
申请人 CANON K.K. 发明人 OUCHI, TOSHIHIKO
分类号 C30B29/40;B82Y10/00;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/318;H01S5/00;H01S5/12;H01S5/183;H01S5/323;H01S5/34;H01S5/343 主分类号 C30B29/40
代理机构 代理人
主权项
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