发明名称 单晶矽晶圆的COP发生因素判定方法
摘要 将对象之晶圆之判定区域于半径方向分割成同心圆状,针对各经过分割之判定区域求取COP之密度,其最大值为COP密度半径MAX、最小值为COP密度半径MIN,将利用「(COP密度半径MAX-COP密度半径MIN)/COP密度半径MAX」计算所得之值与预定之设定值进行比较,在明确之基准下,区分非结晶起因之COP及结晶起因之COP,执行COP发生因素之判定。藉此,可以救济非结晶起因之COP被判定成结晶起因之COP而不合格之晶圆,而提高晶圆之制造良率。
申请公布号 TW200804789 申请公布日期 2008.01.16
申请号 TW096119802 申请日期 2007.06.01
申请人 上睦可股份有限公司 发明人 稻见修一
分类号 G01N1/28(2006.01);G01N21/00(2006.01) 主分类号 G01N1/28(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本