多孔质膜之前驱物组成物及其调制方法、多孔质膜及其制作方法及半导体装置

摘要

本发明系提供具有低电容率、高机械强度且改善排水性之多孔质膜及其制作方法，该多孔质膜之前驱物组成物及其调制方法，以及利用该多孔质膜之半导体装置。其解决方法为，含有式：Si（OR1）4及Ra（Si）（OR2）4-a（式中，R1为1价有机基，R为氢原子、氟原子或1价有机基，R2为1价有机基，a为1至3之整数，R、R1及R2可相同或相异）所示化合物中所选出之化合物，及热分解性有机化合物，具有触媒作用之元素及尿素等。对该前驱物组成物所得之多孔质膜照射紫外线后，使排水性化合物气相反应，使用所得多孔质膜制作半导体装置。